Electrical properties of thin films deposited from TMS/O 2 in Microwave Multipolar Plasma reactor

M Kihel; S Sahli; Y Fermi; Patrice Raynaud; M Benhaddad

doi:10.1088/1742-6596/987/1/012016

Article Dans Une Revue Journal of Physics: Conference Series Année : 2018

Electrical properties of thin films deposited from TMS/O 2 in Microwave Multipolar Plasma reactor

, , , (1) ,

1

M Kihel

Fonction : Auteur

S Sahli

Fonction : Auteur

Y Fermi

Fonction : Auteur

Patrice Raynaud

Fonction : Auteur
PersonId : 740336
IdHAL : patrice-raynaud
ORCID : 0000-0001-6381-3875
IdRef : 111096731

Matériaux et Procédés Plasmas

M Benhaddad

Fonction : Auteur

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Matériaux Plasmas

Patrice RAYNAUD : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02322280

Soumis le : lundi 21 octobre 2019-15:43:33

Dernière modification le : lundi 20 novembre 2023-11:44:22

Dates et versions

hal-02322280 , version 1 (21-10-2019)

Identifiants

HAL Id : hal-02322280 , version 1
DOI : 10.1088/1742-6596/987/1/012016

Citer

M Kihel, S Sahli, Y Fermi, Patrice Raynaud, M Benhaddad. Electrical properties of thin films deposited from TMS/O 2 in Microwave Multipolar Plasma reactor. Journal of Physics: Conference Series, 2018, 987, pp.012016. ⟨10.1088/1742-6596/987/1/012016⟩. ⟨hal-02322280⟩

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