Reliablity issues in 4H-SiC MOSFETs - Université Toulouse III - Paul Sabatier - Toulouse INP Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Reliablity issues in 4H-SiC MOSFETs

Alberto Castellazzi
  • Fonction : Auteur
University of Nottingham, UK
Andrea Irace
  • Fonction : Auteur
Université de Naples
Frédéric Richardeau
Convertisseurs Statiques
CV

Domaines

Energie électrique

Frédéric Richardeau  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02342945

Soumis le : vendredi 1 novembre 2019-17:08:52

Dernière modification le : lundi 18 décembre 2023-10:44:54

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02342945 , version 1 (01-11-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02342945 , version 1

Citer

Alberto Castellazzi, Andrea Irace, Frédéric Richardeau. Reliablity issues in 4H-SiC MOSFETs. keynote presentation, First International Workshop on Wide Band Gap Innovative SiC for Advanced Power, Tours, France, on March 7, 2019. University of Tours and Italian Inter-University Consortium for Nanoelectronics (IUNET), European Project WinSiC4AP, www.winsic4ap-project.org, Mar 2019, Tours, France. ⟨hal-02342945⟩

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