Low pressure PECVD of metal oxide and metal oxide/silica thin films: Comparative study of films deposited from metalorganic precursors Zirconium Tetra tert-Butoxide and Titanium Tetra Isopropoxide - Université Toulouse III - Paul Sabatier - Toulouse INP Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Low pressure PECVD of metal oxide and metal oxide/silica thin films: Comparative study of films deposited from metalorganic precursors Zirconium Tetra tert-Butoxide and Titanium Tetra Isopropoxide

Patrice Raynaud
Matériaux et Procédés Plasmas

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Plasmas Matériaux Génie des procédés

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https://hal.science/hal-02393249

Soumis le : mercredi 4 décembre 2019-12:10:50

Dernière modification le : lundi 20 novembre 2023-11:44:22

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hal-02393249 , version 1 (04-12-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02393249 , version 1

Citer

Patrice Raynaud. Low pressure PECVD of metal oxide and metal oxide/silica thin films: Comparative study of films deposited from metalorganic precursors Zirconium Tetra tert-Butoxide and Titanium Tetra Isopropoxide. 5th international Workshop plasma sciance& interfaces, Viçsion dynamics - Science & entrepeneurship, Oct 2018, St Gallen, Switzerland. ⟨hal-02393249⟩

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