First rare earth ions doped Si based down converter layers integration in an industrial Si solar cell - Université Toulouse III - Paul Sabatier - Toulouse INP Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

First rare earth ions doped Si based down converter layers integration in an industrial Si solar cell

A L Richard
  • Fonction : Auteur
P Marie
NANO-2019_final.pdf (8.03 Mo) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-02405393 , version 1 (11-12-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02405393 , version 1

Citer

J. Cardin, L. Dumont, C. Labbé, P.-M Anglade, Maxime Vallet, et al.. First rare earth ions doped Si based down converter layers integration in an industrial Si solar cell. 7th International Conference "Nanotechnologies and Nanomaterials" NANO-2019, Aug 2019, Lviv, Ukraine. ⟨hal-02405393⟩
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