Oxydation sélective contrôlée de semiconducteurs III-V pour les composants photoniques

Guilhem Almuneau (1) , Stéphane Calvez (1) , Gaël Lafleur (1) , Oleksandr Stepanenko (1) , Alexandre Arnoult (2) , Antoine Monmayrant (1) , Henri Camon (1)

1 LAAS-PHOTO - Équipe Photonique
2 LAAS-TEAM - Service Techniques et Équipements Appliqués à la Microélectronique

L'oxydation latérale sélective des semiconducteurs III-V présentant une forte teneur en aluminium est une étape technologique généralement utilisée pour la fabrication des lasers à cavité verticale émettant par la surface (VCSEL) et des composants d'optique guidée. Dans les deux cas, à partir de mésas gravés, cette transformation sélective d'une couche enterrée de semiconducteur en isolant d'indice de réfraction faible (n~1.6) permet de définir un confinement optique dont les propriétés sont intrinsèquement liées à la forme latérale de l'interface entre le semiconducteur et l'oxyde (couramment appelée diaphragme AlOx) et à sa position verticale dans l'empilement considéré.

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique; Matériaux; Optique / photonique

Guilhem Almuneau, Stéphane Calvez, Gaël Lafleur, Oleksandr Stepanenko, Alexandre Arnoult, et al.. Oxydation sélective contrôlée de semiconducteurs III-V pour les composants photoniques. GDR OXYFUN : Couches minces d'oxydes fonctionnels et applications en électronique et photonique, Oct 2019, Caen, France. ⟨hal-02449267⟩