Characterization and Modeling of Parasitic Emission in Deep Submicron CMOS

Sonia Ben Dhia; B. Vrignon; S.D. Bendhia; E. Lamoureux; E. Sicard

doi:10.1109/TEMC.2005.847408

Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility Année : 2005

Characterization and Modeling of Parasitic Emission in Deep Submicron CMOS

(1) , , , , (2)

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Sonia Ben Dhia

Fonction : Auteur
PersonId : 14027
IdHAL : sonia-ben-dhia
IdRef : 078048257

Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes

B. Vrignon

Fonction : Auteur

S.D. Bendhia

Fonction : Auteur

E. Lamoureux

Fonction : Auteur

E. Sicard

Fonction : Auteur

Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse

Domaines

Electromagnétisme Electronique

Sonia Ben Dhia : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02523696

Soumis le : dimanche 29 mars 2020-15:41:18

Dernière modification le : lundi 20 novembre 2023-11:44:17

Dates et versions

hal-02523696 , version 1 (29-03-2020)

Identifiants

HAL Id : hal-02523696 , version 1
DOI : 10.1109/TEMC.2005.847408

Citer

Sonia Ben Dhia, B. Vrignon, S.D. Bendhia, E. Lamoureux, E. Sicard. Characterization and Modeling of Parasitic Emission in Deep Submicron CMOS. IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, 2005, 47 (2), pp.382-387. ⟨10.1109/TEMC.2005.847408⟩. ⟨hal-02523696⟩

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