Microwave Characterization of Silicon Carbide Sample at the ISM Band from 25°C to 165°C - Université Toulouse III - Paul Sabatier - Toulouse INP Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Electrical Engineering and Electronic Technology Année : 2018

Microwave Characterization of Silicon Carbide Sample at the ISM Band from 25°C to 165°C

Rammal W
  • Fonction : Auteur
Rammal J
  • Fonction : Auteur
Salameh F
  • Fonction : Auteur
Taoubi M
  • Fonction : Auteur
Fouany J
  • Fonction : Auteur
Alchaddoud A
  • Fonction : Auteur
LAboratoire PLasma et Conversion d'Energie
Laurent Canale
Lumière et Matière
Centre National de la Recherche Scientifique
CV

Domaines

Matériaux Optique / photonique

Georges Zissis  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02559541

Soumis le : jeudi 30 avril 2020-15:05:54

Dernière modification le : lundi 20 novembre 2023-11:44:21

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02559541 , version 1 (30-04-2020)

Identifiants

Citer

Rammal W, Rammal J, Salameh F, Taoubi M, Fouany J, et al.. Microwave Characterization of Silicon Carbide Sample at the ISM Band from 25°C to 165°C. Journal of Electrical Engineering and Electronic Technology, 2018, 07 (02), ⟨10.4172/2325-9833.1000160⟩. ⟨hal-02559541⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS LAPLACE LAPLACE_LM TOULOUSE-INP UNIV-UT3 UT3-TOULOUSEINP
29 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More