S. Nakayama, T. Sakai, and J. Electroch, Soc. Phys, vol.144, p.4326, 1997.

H. H. Tseng, M. Glowski, P. G. Tobin, and R. L. Hance, IEEE Electron Device Lett, vol.13, p.14, 1992.

J. R. Pfiester, F. K. Baker, T. C. Mele, T. C. Mell, H. Tseng et al.,

J. W. Hayden, C. D. Miller, L. C. Gunderson, and . Parillo, IEEE Transaction On Electron Devices, vol.37, p.1842, 1990.

T. Chao, M. C. Liaw, C. H. Chu, and C. Y. Chang, Appl.Phys.Lett, vol.69, p.1781, 1996.

P. T. Boyer, F. Olivie, K. Kassmi, E. Scheid, G. Sarrabayrouse et al., Solid-State Electronics, vol.41, p.951, 1997.

M. Yamashita, T. Nichii, H. Kurihara, H. Enjoji, and A. Iwata, Japanese Journal of Applied Physic, vol.29, p.776, 1990.

P. V. Pavlov, E. I. Zorin, and D. I. Telebanm, Phys. Status Solid. A, vol.35, p.11, 1976.

S. Nakayama and T. Sakai, J.Appl.Phys, vol.79, p.4024, 1996.

W. Q. Han, G. R. Han, S. S. Fan, and B. L. Gu, Chin.Phys.Lett, vol.14, p.682, 1997.