Caractérisation de modules MOSFET-SiC en vue de leur utilisation future dans des convertisseurs ferroviaires
Caractérisation de modules MOSFET-SiC en vue de leur utilisation future dans des convertisseurs ferroviaires
Résumé
Silicon Carbide (SiC) technology is pushing the limits of switching devices in three directions: higher blocking voltage, higher operating temperature and higher switching speed. Nowadays, samples of Silicon Carbide (SiC) MOSFET modules are available on the market. To evaluate the interest of these new devices in railway applications a first set of measurements, based on a single pulse test bench, was achieved. To complete this work, the authors propose to use the opposition method to compare Si IGBT and SiC MOSFET modules in a voltage source inverter (VSI) operation. For this purpose, a test bench, allowing electrical and thermal measurements, was developed. Experimental results confirm the theoretical losses calculation coming from the single pulse tests.
Le Carbure de Silicium (SiC) va permettre de repousser les limites des convertisseurs dans trois directions : haute tenue en tension, haute température de fonctionnement, et forte vitesse de commutation. Aujourd’hui, les premiers modules MOSFET-SiC sont disponibles sur le marché et semblent prometteurs. Pour évaluer leurs intérêts un premier banc d’essai a permis de caractériser en conduction et en commutation ces composants. Puis, un second banc d’essai utilisant la « méthode d’opposition » a permis de comparer les modules IGBT-Si et les MOSFET-SiC en fonctionnement onduleur grâce à des mesures électriques et thermiques.
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)