Caractérisation de modules MOSFET SiC en vue de leur utilisation dans les chaînes de traction ferroviaire

Caractérisation de modules MOSFET SiC en vue de leur utilisation future dans les chaînes de traction ferroviaire

Joseph Fabre (1, 2) , Philippe Ladoux (1) , Michel Piton (2)

1 LAPLACE-CS - Convertisseurs Statiques
2 Alstom Transport - Alstom Transport

Les IGBT en Silicium (Si) sont largement utilisés en traction ferroviaire. Dans un futur proche, le Carbure de Silicium (SiC) va permettre de repousser les limites de ces convertisseurs dans trois directions : haute tenue en tension, haute température de fonctionnement, et haute vitesse de commutation. Aujourd’hui, les premiers modules MOSFET au Carbure de Silicium (SiC) sont disponibles sur le marché et semblent prometteurs. En effet, bien qu’ils restent encore limités en tenue en tension, ces composants à grand gap devraient permettre d’améliorer les performances des chaînes de traction. Grâce notamment à une réduction significative des pertes en commutation. Ce qui, doit conduire à une amélioration du rendement et du rapport puissance/volume.

Mots clés: wide band gap semiconductors; silicon compounds; power MOSFET; double-pulse switching; MOSFET circuits; Silicon carbide

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]; Energie électrique

Joseph Fabre, Philippe Ladoux, Michel Piton. Caractérisation de modules MOSFET SiC en vue de leur utilisation future dans les chaînes de traction ferroviaire. EPF2012, 14ème édition de la conférence Electronique de Puissance du Futur, Bordeaux, France, 5-7 Juillet 2012, Jul 2012, Bordeaux, France. ⟨hal-02905685⟩