Développement technologique d'un HEMT normally- off avec une grille à barrière P-GaN

Chaymaa Haloui (1) , Gaëtan Toulon (1, 2) , Josiane Tasselli (1) , Yvon Cordier (3) , Éric Frayssinet (3) , Karine Isoird (1) , Frédéric Morancho (1) , Mathieu Gavelle (4)

1 LAAS-ISGE - Équipe Intégration de Systèmes de Gestion de l'Énergie
2 Exagan
3 CRHEA - Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications
4 CEA-TECH-Reg - CEA Tech en régions

Les travaux portent sur la réalisation technologique d’un HEMT AlGaN/GaN normally-off avec une grille à barrière P-GaN. Des résultats de simulation ont montré que la tension de seuil de cette structure peut atteindre une valeur supérieure à 2 V et qu’elle est liée à la profondeur de gravure de la couche d’AlGaN. Nous avons développé une recette de gravure sèche avec une faible vitesse permettant un contrôle de gravure d’ordre nanométrique avec une rugosité de surface satisfaisante.

Mots clés: gravure d'AlGaN; normally-off; AlGaN/GaN; P-GaN; HEMT; RIE

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique; Energie électrique; Electronique

Chaymaa Haloui, Gaëtan Toulon, Josiane Tasselli, Yvon Cordier, Éric Frayssinet, et al.. Développement technologique d'un HEMT normally- off avec une grille à barrière P-GaN. SYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2020), Jul 2021, Nantes, France. ⟨hal-02918372v2⟩