Développement de briques technologiques pour la fabrication de composants MOS diamant : contacts ohmiques et capacités MIS sur diamant de type P

Lya Fontaine (1) , Karine Isoird (1) , Josiane Tasselli (1) , Patrick Austin (1) , Alain Cazarré (2) , Riadh Issaoui (3)

1 LAAS-ISGE - Équipe Intégration de Systèmes de Gestion de l'Énergie
2 LAAS-S4M - Équipe Instrumentation embarquée et systèmes de surveillance intelligents
3 LSPM - Laboratoire des Sciences des Procédés et des Matériaux

Des contacts ohmiques de très bonne qualité électriques et des capacités MIS fonctionnelles sur diamant de type P sont des briques technologiques fondamentales pour envisager la fabrication de composants MOS diamant. La technique de caractérisation des contacts ohmiques par TLM circulaire a été validée et des diodes MIS ont donc été fabriquées. Même si des optimisations sont encore nécessaires, les résultats présentés permettent d'envisager la fabrication d'un démonstrateur de type diode P-TMBS (Trench MOS Barrier Schottky) en diamant.

Mots clés: Diamant; MOS; Contacts ohmiques; Capacités MIS

Domaines: Matériaux; Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Lya Fontaine, Karine Isoird, Josiane Tasselli, Patrick Austin, Alain Cazarré, et al.. Développement de briques technologiques pour la fabrication de composants MOS diamant : contacts ohmiques et capacités MIS sur diamant de type P. SYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2020), Jul 2021, Nantes, France. ⟨hal-02918490v1⟩