Diodes Schottky en Diamant : augmentation du calibre en courant et parallélisation

Gaetan Perez (1) , Juliette Letellier (2) , Aurélien Maréchal (1) , David Eon (2) , Gauthier Chicot (2) , Pierre-Olivier Jeannin (1) , Nicolas C. Rouger (3)

1 G2ELab - Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble
2 NEEL - SC2G - Semi-conducteurs à large bande interdite
3 LAPLACE-CS - Convertisseurs Statiques

Cet article présente l’intégration de diodes Schottky en diamant dans des applications d’électronique de puissance et les problématiques liées à leur mise en œuvre. Différentes approches sont étudiées dans le but d’augmenter le calibre en courant des dispositifs. En particulier, la parallélisation et l’entrelacement de diodes Schottky en diamant sont étudiés. Une méthode d’estimation de la température des puces en diamant est discutée. Des modifications de la structure sont proposées et étudiées afin d’améliorer l’intégration des futurs composants en diamant dans des applications d’électronique de puissance.

Mots clés: Diode Schottky; Diamant monocristallin; parallélisation; intégration monolithique

Domaines: Energie électrique

Gaetan Perez, Juliette Letellier, Aurélien Maréchal, David Eon, Gauthier Chicot, et al.. Diodes Schottky en Diamant : augmentation du calibre en courant et parallélisation. Symposium de Génie Electrique, Université de Lorraine [UL], Jul 2018, Nancy, France. ⟨hal-02981846⟩