Première démonstration expérimentale d’un interrupteur HEMT normally-off en GaN avec une région P-GaN enterrée

Audrey Chapelle (1) , Éric Frayssinet (2) , Yvon Cordier (2) , Yohann Spiegel (3) , Leïla Benmosfeta (1) , David Trémouilles (1) , Karine Isoird (1) , Frédéric Morancho (1) , Josiane Tasselli (1) , Patrick Austin (1) , Dany Hachem (1) , Chaymaa Haloui (1, 4)

1 LAAS-ISGE - Équipe Intégration de Systèmes de Gestion de l'Énergie
2 CRHEA - Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications
3 IBS - Ion Beam Services
4 DOCC - CEA Tech Occitanie

Un nouveau concept d'interrupteur de puissance HEMT en GaN présentant la fonctionnalité « normally-off » est expérimentalement validé. L'introduction d'une couche P-GaN suffisamment dopée (autour de 2 x 10 18 cm-3) au sein de la couche buffer GaN NID, en-dessous de l'électrode de grille et sous l'interface AlGaN / GaN, permet d'obtenir une tension de seuil positive de 0,8 V, soit un décalage significatif supérieur à 6 V par rapport à celle d'un HEMT conventionnel « normally-on ».

Mots clés: Interrupteur puissance; GaN; HEMT; normally-off

Domaines: Electronique; Energie électrique

Audrey Chapelle, Éric Frayssinet, Yvon Cordier, Yohann Spiegel, Leïla Benmosfeta, et al.. Première démonstration expérimentale d’un interrupteur HEMT normally-off en GaN avec une région P-GaN enterrée. Symposium de Génie Electrique (SGE 2018), Université de Lorraine [UL], Jul 2018, Nancy, France. pp.3 - 5. ⟨hal-02981903v2⟩