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Conference papers

Propriétés électriques des diodes Schottky en Polymères

Résumé : Le travail présenté dans cette communication concerne la réalisation et la caractérisation électrique (courant-tension I/V) des diodes Schottky en polymère (P3OT) de type P. Les résultats obtenus montrent que les structures réalisés sont stables : après plusieurs passages I/V, les caractéristiques obtenues passent par la même courbe. Concernant le mécanisme de conduction de ces structures, nous avons montré qu'il peut être modélisé par celui des structures Schottky inorganique (Silicium) en régime direct : se manifeste le mécanisme de conduction par effet Thermoélectronique et Fowler-Nordheim. L'ensemble des résultats obtenus montre d'une part la faisabilité du processus technologique de réalisation des diodes Schottky en polymère, et d'autre part une contribution intéressante permettant une meilleure compréhension du mécanisme de conduction des polymères.
Document type :
Conference papers
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https://hal.inria.fr/inria-00000728
Contributor : Elodie Foret <>
Submitted on : Tuesday, November 15, 2005 - 1:51:11 PM
Last modification on : Friday, January 10, 2020 - 9:08:08 PM
Long-term archiving on: : Tuesday, September 7, 2010 - 4:29:31 PM

File

Identifiers

  • HAL Id : inria-00000728, version 1

Citation

Abdelhak Aziz, Khalil Kassmi, Rabah Maimouni, François Olivié, Gérard Sarrabayrouse, et al.. Propriétés électriques des diodes Schottky en Polymères. MajecSTIC 2005 : Manifestation des Jeunes Chercheurs francophones dans les domaines des STIC, IRISA – IETR – LTSI, Nov 2005, Rennes, pp.116-122. ⟨inria-00000728⟩

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