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  1. Search


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hal-01955656v1  Journal articles
Sylvain Noblecourt, Frédéric Morancho, Karine Isoird, Patrick Austin, Josiane Tasselli. Design optimisation of the deep trench termination for superjunction power devices
International Journal of Microelectronics and Computer Science, Department of Microelectronics and Computer Science (DMCS) of Technical University of Łódź, 2015, 6 (4), pp.117-123
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hal-01191234v1  Conference papers
Sylvain Noblecourt, Frédéric Morancho, Karine Isoird, Patrick Austin, Josiane Tasselli. An improved junction termination design using deep trenches for superjunction power devices
International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems (MIXDES 2015), Jun 2015, Torùn, Poland. ⟨10.1109/MIXDES.2015.7208583⟩
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hal-01556254v1  Conference papers
Emmanuel Marcault, David Trémouilles, Karine Isoird, Frédéric Morancho, Mathieu Gavelle. Dynamic of power-GaN-HEMT electrical parameters: Why DC characterization might be misleading
18th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'2016), Sep 2016, Karlsruhe, Germany. ⟨10.1109/EPE.2016.7695492⟩
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hal-02918372v1  Conference papers
Chaymaa Haloui, Gaëtan Toulon, Josiane Tasselli, Yvon Cordier, Éric Frayssinet et al.  Développement technologique d'un HEMT normally- off avec une grille à barrière P-GaN
SYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2020), Nov 2020, Nantes, France
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hal-02922723v1  Conference papers
Chaymaa Haloui, Toulon Gaëtan, Josiane Tasselli, Yvon Cordier, Éric Frayssinet et al.  Recessed and P-GaN regrowth gate development for normally-off AlGaN/GaN HEMTs
28 International Conference MIXED DESIGN OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS, Jun 2020, Wroclow, Poland
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tel-00010475v1  Habilitation à diriger des recherches
Frédéric Morancho. De nouvelles limites pour le compromis "résistance passante spécifique/tenue en tension" des composants unipolaires de puissance
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2004
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hal-01054152v1  Journal articles
Ignasi Cortés, Gaëtan Toulon, Frédéric Morancho, David Flores, Elsa Hugonnard-Bruyère et al.  Analysis and optimization of lateral thin-film silicon-on-insulator (SOI) PMOS transistor with an NBL layer in the drift region
Solid-State Electronics, Elsevier, 2012, 70, pp.8-13. ⟨10.1016/j.sse.2011.11.012⟩
hal-01862318v1  Patents
Nathalie Batut, Frédéric Morancho, Henri Tranduc, Pierre Rossel. Perfectionnements apportés aux diodes Schottky
France, N° de brevet: 00 401643.2-2203. Rapport LAAS n° 00219. 2000
hal-01710524v1  Conference papers
Frédéric Morancho, Saleem Hamady, Bilal Beydoun. A solution for channel electron migration in normally-off MIS-HEMT with buried fluorine ions
29th International Conference on Microelectronics (ICM 2017), Dec 2017, Beirut, Lebanon. ⟨10.1109/ICM.2017.8268868⟩
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hal-01065194v1  Conference papers
Moustafa Zerarka, Patrick Austin, Frédéric Morancho, Karine Isoird, Josiane Tasselli et al.  Durcissement des IGBT planar contre le déclenchement de " Single-Event Burnout
Symposium de Génie Électrique 2014, Jul 2014, Cachan, France
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hal-01102974v1  Conference papers
Sylvain Noblecourt, Josiane Tasselli, Frédéric Morancho, Karine Isoird, Patrick Austin et al.  Optimisation de la diode à Superjonction à tranchées profondes pour des applications à 600V
Symposium de Génie Electrique 2014, Jul 2014, Cachan, France
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hal-01108922v1  Conference papers
Saleem Hamady, Frédéric Morancho, Bilal Beydoun, Patrick Austin, Mathieu Gavelle. P-doped region below the AlGaN/GaN interface for normally-off HEMT
16th Conference on Power Electronics and Applications, EPE’14-ECCE Europe, Aug 2014, Lappeenranta, Finland. pp.1 - 8, ⟨10.1109/EPE.2014.6910769⟩
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hal-01054228v1  Conference papers
Saleem Hamady, Frédéric Morancho, Bilal Beydoun, Patrick Austin, Mathieu Gavelle. Scalable normally-off MIS-HEMT using Fluorine implantation below the channel
SPEEDAM 2014, Jun 2014, Ischia, Italy
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hal-01054235v1  Conference papers
Saleem Hamady, Frédéric Morancho, Bilal Beydoun, Patrick Austin, Mathieu Gavelle. Hybrid normally-off AlGaN/GaN HEMT using GIT technique with a p-region below the channel
CSW 2014, May 2014, Montpellier, France
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hal-01054251v1  Conference papers
Aurélie Lecestre, Pascal Dubreuil, Sylvain Noblecourt, Josiane Tasselli, Éric Imbernon et al.  Anisotropic Deep Reactive Ion Etching without Aspect Ratio Dependence Etching for silicon power devices
PESM 2014 (Plasma Etch and Strip in Microtechnology), May 2014, Grenoble, France. 2p
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hal-01955666v1  Journal articles
Raul Rodriguez, Benito González, Javier Garcia, Gaëtan Toulon, Frédéric Morancho et al.  DC Gate Leakage Current Model Accounting for Trapping Effects in AlGaN/GaN HEMTs
Electronics, MDPI, 2018, 7 (10), pp.210. ⟨10.3390/electronics7100210⟩
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hal-02981903v2  Conference papers
Audrey Chapelle, Éric Frayssinet, Yvon Cordier, Yohann Spiegel, Leïla Benmosfeta et al.  Première démonstration expérimentale d’un interrupteur HEMT normally-off en GaN avec une région P-GaN enterrée
Symposium de Génie Electrique (SGE 2018), Université de Lorraine [UL], Jul 2018, Nancy, France. pp.3 - 5
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hal-01065277v1  Conference papers
Sylvain Noblecourt, Josiane Tasselli, Frédéric Morancho. Optimisation de la diode à Superjonction et à tranchées profondes pour des applications à 600V
Symposium de Génie Électrique 2014, Jul 2014, Cachan, France
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hal-01065392v1  Conference papers
Saleem Hamady, Frédéric Morancho, Bilal Beydoun, Patrick Austin, Mathieu Gavelle. Un interrupteur GaN HEMT normally-off grâce à des ions fluor implantés sous l'interface AlGaN/GaN
Symposium de Génie Électrique 2014, Jul 2014, Cachan, France
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hal-01005697v1  Conference papers
Loïc Théolier, Karine Isoird, Frédéric Morancho, Jaume Roig Guitart. Conception de transistors MOS haute tension (1200 Volts) à tranchées profondes
ISP3D, Oct 2006, Montpellier, France
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hal-01005655v1  Conference papers
Stéphane Alves, Frédéric Morancho, Jean Michel Reynes, J. Margherita, I. Deram et al.  Experimental validation of the "FLoating Island" concept: A 95 Volts Vertical breakdown voltage FLIDiode
7th International Seminar on Power Semiconductors (ISPS'04), Aug 2004, Pragues, Czech Republic. pp.47-50
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hal-01005688v1  Conference papers
Moustafa Zerarka, Patrick Austin, Frédéric Morancho, Karine Isoird, Houssam Arbess et al.  Analysis study of sensitive volume and triggering criteria of SEB in super-junction MOSFETs
International Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2012), Aug 2012, Pragues, Czech Republic. 6 p
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hal-00991573v1  Conference papers
Loïc Théolier, Hicham Mahfoz-Kotb, Karine Isoird, Frédéric Morancho. A new junction termination technique: The Deep Trench Termination (DT²)
21st International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD), 2009., Jun 2009, Barcelona, Spain. pp.176-179, ⟨10.1109/ISPSD.2009.5158030⟩
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hal-01002191v1  Conference papers
Elias Al Alam, Alain Cazarré, Frédéric Morancho, Karine Isoird, Yvon Cordier. Le Nitrure de Gallium : un Matériau d'Avenir pour la Conception de Composants de Puissance Haute Tension et Haute Température
MGE 2008 4ème Colloque Matériaux du Génie Electrique, May 2008, TOULOUSE, France. 4 p
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hal-01004508v1  Conference papers
Gaëtan Toulon, Ignacio Cortes, Frédéric Morancho, Abdelhakim Bourennane, Karine Isoird. Analysis and optimization of a novel high voltage striped STI-LDMOS transistor on SOI CMOS technology
International Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2012), Aug 2012, Pragues, Czech Republic. pp.122-128
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hal-01002131v1  Conference papers
Stéphane Alves, Frédéric Morancho, Jean Michel Reynes, J. Margherita, I. Deram et al.  Validation expérimentale du concept des "îlots flottants": réalisation d'une FLIdiodes verticale 95 volts
Seminario Annual de Automática, Electronica Industrial e Instrumentación Electronique de Puissance du Futur, Sep 2004, TOULOUSE, France. pp.4 PAGES
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hal-01002232v1  Conference papers
Loïc Théolier, Frédéric Morancho, Karine Isoird, Hicham Mahfoz-Kotb, Henri Tranduc. The DT-SJMOSFET : a new power MOSFET strucure for high-voltage applications
2nd International Conference on Automotive Power Electronics (APE 2007), Sep 2007, PARIS, France. 8 p
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hal-01002255v1  Conference papers
Loïc Théolier, Karine Isoird, Henri Tranduc, Frédéric Morancho, Jaume Roig Guitart et al.  Performances dynamiques des transistors FLYMOSTM 65 Volts à canal N
Electronique de Puissance du Futur (EPF'2006), Jul 2006, GRENOBLE, France. 5 p

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