13 results  save search


...
hal-01005674v1  Conference papers
Loïc ThéolierKarine IsoirdHenri TranducFrédéric MoranchoJaume Roig Guitart et al.  Switching Performance of 65 Volts Vertical N-Channel FLYMOSFETs
8th International Seminar on Power Semiconductors (ISPS'06, Aug 2006, Pragues, Czech Republic. pp.117-122
...
hal-01002262v1  Conference papers
Loïc ThéolierHicham Mahfoz-KotbKarine IsoirdFrédéric Morancho. Étude paramétrique des performances statiques du transistor DT-SJMOS 1200 V
XIIème colloque Electronique de Puissance du Futur (EPF 2008), Jul 2008, TOURS, France. 4 p
...
tel-00377784v1  Theses
Loïc Théolier. Conception de transistor MOS haute tension (1200 volts) pour l'électronique de puissance
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2008. Français
...
hal-01002232v1  Conference papers
Loïc ThéolierFrédéric MoranchoKarine IsoirdHicham Mahfoz-KotbHenri Tranduc. The DT-SJMOSFET : a new power MOSFET strucure for high-voltage applications
2nd International Conference on Automotive Power Electronics (APE 2007), Sep 2007, PARIS, France. 8 p
...
hal-01002255v1  Conference papers
Loïc ThéolierKarine IsoirdHenri TranducFrédéric MoranchoJaume Roig Guitart et al.  Performances dynamiques des transistors FLYMOSTM 65 Volts à canal N
Electronique de Puissance du Futur (EPF'2006), Jul 2006, GRENOBLE, France. 5 p
...
hal-00991573v1  Conference papers
Loïc ThéolierHicham Mahfoz-KotbKarine IsoirdFrédéric Morancho. A new junction termination technique: The Deep Trench Termination (DT²)
21st International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD), 2009., Jun 2009, Barcelona, Spain. pp.176-179, ⟨10.1109/ISPSD.2009.5158030⟩
hal-00991660v1  Journal articles
Loïc ThéolierHicham Mahfoz-KotbKarine IsoirdFrédéric MoranchoSandrine Assié-Souleille et al.  A New Junction Termination Using a Deep Trench Filled With BenzoCycloButene
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2009, 30 (6), pp.687 - 689. ⟨10.1109/LED.2009.2020348⟩