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	hal-02179525v1 Journal articles François Boige, Frédéric Richardeau, Stéphane Lefebvre, Marc Cousineau. SiC power MOSFET in short-circuit operation: Electro-thermal macro-modelling combining physical and numerical approaches with circuit-type implementation Mathematics and Computers in Simulation, Elsevier, 2019, 158, pp.375-386. ⟨10.1016/j.matcom.2018.09.020⟩
	hal-02336868v1 Conference papers François Boige, Frédéric Richardeau, Stéphane Lefebvre. Global electro-thermal modelling and circuit-type simulation of SiC Mosfet power devices in short-circuit operation for critical system analysis ELECTRIMACS 2017, Jul 2017, Toulouse, France
	hal-02273712v1 Conference papers Philippe Ladoux, M. Mermet, J. Casarin, Joseph Fabre. Outlook for SiC devices in traction converters ESARS 2012 Electrical Systems for Aircraft, Railway and Ship Propulsion (ESARS), Oct 2012, Bologna, Italy. pp.1-6
	tel-02273784v1 Theses Joseph Fabre. Etude et mise en oeuvre de modules de puissance MOSFET SiC pour leurs futures utilisations dans des convertisseurs ferroviaires Energie électrique. Institut National Polytechnique de Toulouse, 2013. Français
	hal-02905679v1 Conference papers Joseph Fabre, Philippe Ladoux, Michel Piton. Opposition Method based test bench for characterization of SiC Dual MOSFET Modules PCIM2013 (Power Electronics Intelligent Motion Renewable Energy and Energy Management), May 2013, Nuremberg, Germany
	hal-02273701v1 Conference papers Joseph Fabre, Philippe Ladoux. Parallel connection of SiC MOSFET modules for future use in traction converters ESARS 2015 International Conference on Electrical Systems for Aircraft, Railway, Ship Propulsion and Road Vehicles (ESARS), Mar 2015, Aachen, Germany. pp.1-6, ⟨10.1109/ESARS.2015.7101514⟩
	hal-02905688v1 Conference papers Joseph Fabre, Philippe Ladoux, Michel Piton. Characterization of SiC MOSFET dual modules for future use in railway traction chains PCIM2012 (Power Electronics Intelligent Motion Renewable Energy and Energy Management), May 2012, Nuremberg, Germany
	tel-00010475v1 Habilitation à diriger des recherches Frédéric Morancho. De nouvelles limites pour le compromis "résistance passante spécifique/tenue en tension" des composants unipolaires de puissance Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2004
	tel-00807836v1 Theses Yann Weber. Conception d'une nouvelle génération de transistor FLYMOS vertical de puissance dépassant la limite conventionnelle du silicium Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2008. Français
	hal-02917227v1 Journal articles Mame Andallah Diop, Antoine Belinger, Hubert Piquet. 10 kV SiC MOSFET Evaluation for Dielectric Barrier Discharge Transformerless Power Supply plasma, MDPI AG, 2020, 3 (3), pp.103-116. ⟨10.3390/plasma3030009⟩
	hal-01005966v1 Journal articles Moustafa Zerarka, Patrick Austin, Frédéric Morancho, Karine Isoird, Houssam Arbess et al. Analysis Study of Sensitive Volume and Triggering Criteria of SEB in Super-Junction MOSFETs IET Circuits, Devices & Systems, Institution of Engineering and Technology, 2014, 8 (3), pp.197-204
	hal-00669506v1 Journal articles Raul Fernandez-Garcia, Ignacio Gil, Alexandre Boyer, Sonia Ben Dhia, Bertrand Vrignon. A New Approach to Modeling the Impact of EMI on MOSFET DC Behavior IEICE Transactions on Electronics, Institute of Electronics, Information and Communication Engineers, 2011, E94-C (12), pp.1906
	hal-00669511v1 Journal articles Nestor Berbel, Raul Fernandez-Garcia, Ignacio Gil, Binhong Li, Alexandre Boyer et al. Experimental verification of the usefulness of the nth power law MOSFET model under hot carrier wearout Microelectronics Reliability, Elsevier, 2011, 51 (9), pp.1564
	hal-01687839v1 Conference papers Ahmet Lale, Auriane Grappin, David Bourrier, Laurent Mazenq, Aurélie Lecestre et al. Development of all-around, SiO2/Al2O3 gate, suspended silicon nanowire chemical field effect transistors Si-nw-ChemFET EUROSENSORS XXXI, Sep 2017, Paris, France
	hal-02881774v1 Journal articles Jérôme Launay, M.L. Pourciel-Gouzy, W. Sant, A. Martinez, Pierre Temple-Boyer. Optimisation of an electronic amplifier applied to electrolyte/insulator/semiconductor structure Analytica Chimica Acta, Elsevier Masson, 2005, 545 (2), pp.195-199. ⟨10.1016/j.aca.2005.04.079⟩
	hal-02273699v1 Journal articles Joseph Fabre, Philippe Ladoux. Parallel Connection of 1200 V/100 A SiC MOSFET Half-bridge Modules IEEE Transactions on Industry Applications, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2015, IEEE Transactions on Industry Applications ( Volume: 52 Issue: 2 March-April 2016 ), 52 (2), pp.1669 - 1676. ⟨10.1109/TIA.2015.2496109⟩
	tel-00509151v1 Theses Beatrice Bernoux. Caractérisation de MOSFETs de puissance cyclés en avalanche pour des applications automobiles micro-hybrides Micro et nanotechnologies/Microélectronique. INSA de Toulouse, 2010. Français
	hal-02377367v1 Conference papers Cédric Masante, Julien Pernot, Juliette Letellier, David Eon, Nicolas Rouger. 175V, > 5.4 MV/cm, 50 m(omega).cm2 at 250°C Diamond MOSFET and its reverse conduction 2019 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), May 2019, Shanghai, China. pp.151-154, ⟨10.1109/ISPSD.2019.8757645⟩
	tel-00377784v1 Theses Loïc Théolier. Conception de transistor MOS haute tension (1200 volts) pour l'électronique de puissance Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2008. Français
	tel-00512330v1 Theses Stéphane Alves. Conception de transistors FLYMOSTM verticaux de puissance adaptés aux applications automobiles du futur (batterie 42V) Réseaux et télécommunications [cs.NI]. INSA de Toulouse, 2005. Français
	tel-00865827v1 Theses Toufik Azoui. Approche polymorphe de la modélisation électrothermique pour la fiabilisation des dispositifs microélectroniques de puissance Micro et nanotechnologies/Microélectronique. INSA de Toulouse, 2013. Français
	hal-01005688v1 Conference papers Moustafa Zerarka, Patrick Austin, Frédéric Morancho, Karine Isoird, Houssam Arbess et al. Analysis study of sensitive volume and triggering criteria of SEB in super-junction MOSFETs International Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2012), Aug 2012, Pragues, Czech Republic. 6 p
	hal-01002232v1 Conference papers Loïc Théolier, Frédéric Morancho, Karine Isoird, Hicham Mahfoz-Kotb, Henri Tranduc. The DT-SJMOSFET : a new power MOSFET strucure for high-voltage applications 2nd International Conference on Automotive Power Electronics (APE 2007), Sep 2007, PARIS, France. 8 p
	hal-01005674v1 Conference papers Loïc Théolier, Karine Isoird, Henri Tranduc, Frédéric Morancho, Jaume Roig Guitart et al. Switching Performance of 65 Volts Vertical N-Channel FLYMOSFETs 8th International Seminar on Power Semiconductors (ISPS'06, Aug 2006, Pragues, Czech Republic. pp.117-122
	hal-02334405v1 Conference papers François Boige, Asad Fayyaz, Alberto Castellazzi, Frédéric Richardeau, Sébastien Vinnac. Short-circuit robustness of parallel SiC MOSFETs and fail-safe mode strategy European Power Elecrtonics and Applications 2019 - IEEE ECCE Europe, Sep 2019, Gênes, Italy
	hal-00991676v1 Journal articles Loïc Théolier, Karine Isoird, Henri Tranduc, Frédéric Morancho, Jaume Roig Guitart et al. Switching performance of 65 V vertical N-channel FLYMOSFETs Microelectronics Journal, Elsevier, 2008, 39 (6), pp.914-921. ⟨10.1016/j.mejo.2007.11.009⟩
	hal-01871397v1 Conference papers Ahmet Lale, Auriane Grappin, David Bourrier, Laurent Mazenq, Aurélie Lecestre et al. Design, realization and characterization of all-arround SiO2/Al2O3gate, suspended silicon nanowire chemical field effect transistors 19th International Conference on Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems (TRANSDUCERS 2017), Jun 2017, Kaohsiung, Taiwan. 4p., ⟨10.1109/TRANSDUCERS.2017.7994346⟩
	tel-00004312v1 Theses Fabien Prégaldiny. Etude et modélisation du comportement électrique des transistors MOS fortement submicroniques Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Louis Pasteur - Strasbourg I, 2003. Français
	tel-00165581v1 Theses Frédéric Morancho. Le transistor MOS de puissance à tranchées : modélisation et limites de performances Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Paul Sabatier - Toulouse III, 1996. Français
	tel-01902468v1 Theses Mame Andallah Diop. Alimentation sans transformateur pour dispositif de décharge à barrière diélectrique (DBD) Plasmas. Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2017. Français. ⟨NNT : 2017TOU30092⟩
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