Contribution à l'étude de la diffusion des atomes de Bore dans le Silicium - Université Toulouse III - Paul Sabatier - Toulouse INP Accéder directement au contenu
Thèse Année : 1972

Contribution à l'étude de la diffusion des atomes de Bore dans le Silicium

Jean Bodinaud
  • Fonction : Auteur
Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes

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  • HAL Id : tel-00176339 , version 1

Citer

Jean Bodinaud. Contribution à l'étude de la diffusion des atomes de Bore dans le Silicium. Matériaux. Université Paul Sabatier - Toulouse III, 1972. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-00176339⟩

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