Contribution à l'étude des propriétés dynamiques du transistor métal-oxyde-semiconducteur à canal vertical (V-MOS)

Georges Guegan (1)

1 LAAS - Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes

ANALYSE DES MECANISMES QUI REGISSENT LE FONCTIONNEMENT, STATISTIQUE ET DYNAMIQUE DU TRANSISTOR MOS A CANAL VERTICAL, QUI APPARTIENT A LA FAMILLE DES TRANSISTORS MOS DE PUISSANCE. ON DECRIT LES PRINCIPALES STRUCTURES MOS DE PUISSANCE REALISEES DANS LE MONDE, LEURS PARTICULARITES ET LEURS CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES. EQUATIONS DE FONCTIONNEMENT DE CE TYPE DE TRANSISTOR EN REGIME STATIQUE, ET PROPOSITION D'UN MODELE DYNAMIQUE, BASE SUR LA THEORIE DES CHARGES SUR LES ELECTRODES. ETUDE THEORIQUE ET EXPERIMENTALE DES PPTES FREQUENTIELLES DU TRANSISTOR VMOS. CARACTERISATION D'UN AMPLIFICATEUR LARGE BANDE UTILISANT CE COMPOSANT

Indisponible

Mots clés: TRANSISTOR EFFET CHAMP; TRANSISTOR MOS; TRANSISTOR VMOS; TRANSISTOR PUISSANCE; REGIME DYNAMIQUE; ANALYSE FONCTIONNEMENT; CIRCUIT LARGE BANDE; AMPLIFICATEUR BASSE FREQUENCE; AMPLIFICATEUR HAUTE FREQUENCE

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Georges Guegan. Contribution à l'étude des propriétés dynamiques du transistor métal-oxyde-semiconducteur à canal vertical (V-MOS). Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Paul Sabatier - Toulouse III, 1979. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-00178831⟩