Le Transistor M.O.S. de puissance : la relaxation thermique et les effets liés à la configuration N-N+ du drain

Mariano Gamboa Zuniga (1)

1 LAAS - Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes

DESCRIPTION DES PHENOMENES CITES DANS LES TYPES DE TRANSISTORS SUIVANTS: TRANSISTOR VMOS, TRANSISTOR UMOS, TRANSISTOR HEXFET

Indisponible

Mots clés: TRANSISTOR EFFET CHAMP; TRANSISTOR MOS; TRANSISTOR VMOS; ANALYSE FONCTIONNEMENT; RELAXATION THERMIQUE; BASSE FREQUENCE; DRAIN; REGIME SATURATION; TRANSISTOR UMOS; TRANSISTOR HEXFET; THERMAL RELAXATION; LOW FREQUENCY

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Mariano Gamboa Zuniga. Le Transistor M.O.S. de puissance : la relaxation thermique et les effets liés à la configuration N-N+ du drain. Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Paul Sabatier - Toulouse III, 1980. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-00178833⟩