Diodes Schottky diamant fonctionnant à 200°C

Richard Monflier (1, 2) , Karine Isoird (1, 2) , Alain Cazarré (3, 2) , Josiane Tasselli (1) , Alexandra Servel (4) , Jocelyn Achard (5) , David Eon (6)

1 LAAS-ISGE - Équipe Intégration de Systèmes de Gestion de l'Énergie
2 UT3 - Université Toulouse III - Paul Sabatier
3 LAAS-N2IS - Équipe Nano Ingénierie et Intégration des Systèmes
4 IBS - Ion Beam Services
5 LSPM - Laboratoire des Sciences des Procédés et des Matériaux
6 NEEL - SC2G - Semi-conducteurs à large bande interdite

Les caractéristiques courant-tension jusqu'à 200°C de diodes Schottky diamant verticales et pseudo-verticales réalisées dans le cadre du projet DIAMONIX2 sont présentées dans cet article. Sur les différents échantillons testés le taux de fonctionnalité est supérieur à 75%. Pour les diodes verticales la densité de courant atteint 488 A/cm 2 à 200°C, et un courant de fuite < 10-7 A/cm 2 à 50 V. Toutefois, la hauteur de barrière de 1,96 eV et le coefficient d'idéalité de 1,77 sont certainement causés par une densité de charge importante à l'interface diamant/contact Schottky.

Mots clés: Haute Température; Schottky; Diamant; Diode; Simulation; Caractérisation

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Richard Monflier, Karine Isoird, Alain Cazarré, Josiane Tasselli, Alexandra Servel, et al.. Diodes Schottky diamant fonctionnant à 200°C. 2015. ⟨hal-01245628v1⟩