Robustness of the quantum Hall effect of graphene on Silicon Carbide - Université Toulouse III - Paul Sabatier - Toulouse INP Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01966664 , version 1 (29-12-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01966664 , version 1

Citer

Abir Nachawaty, Yang Ming, Sébastien Nanot, Alessandro Cresti, Walter Escoffier, et al.. Robustness of the quantum Hall effect of graphene on Silicon Carbide. 3rd International Conference on Physics of 2D Crystals (ICP2C3), May 2018, La Valletta, Malta. ⟨hal-01966664⟩
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