Epitaxial BaTiO3 on SiGe: nanoscale characterization of the film and its interface with the semiconductor

Sylvie Schamm-Chardon (1) , Cesar Magén (2) , Juri Barthel (3) , Lucie Mazet (4) , Robin Cours (5) , M.M. Frank (6) , Vijaykrishnan Narayanan (6) , Catherine Dubourdieu (7)

1 CEMES-MEM - Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme
2 University of Zaragoza - Universidad de Zaragoza [Zaragoza]
3 ER-C - Ernst Ruska-Zentrum für Mikroskopie und Spektroskopie mit Elektronen
4 INL - H&N - INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures
5 CEMES - Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales
6 IBM T.J. Watson Research Center
7 HZB - Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH = Helmholtz Centre Berlin for Materials and Energy = Centre Helmholtz de Berlin pour les matériaux et l'énergie

Domaines: Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]; Physique [physics]

Sylvie Schamm-Chardon, Cesar Magén, Juri Barthel, Lucie Mazet, Robin Cours, et al.. Epitaxial BaTiO3 on SiGe: nanoscale characterization of the film and its interface with the semiconductor. EMRS Spring 2017, May 2017, Strasbourg, France. ⟨hal-02081536⟩