Epitaxial BaTiO3 on Silicon and Silicon Germanium: Nanoscale Characterization, Ferroelectricity and Integration into TiN-Gated Devices

Lucie Mazet (1) , S.M. Yang (2) , M.M. Frank (3) , E.A. Cartier (3) , H. Miyazoe (3) , J. Bruley (4) , Thibaud Denneulin (5) , Robin Cours (5) , Martin J. Hÿtch (6) , J. Bouaziz (1) , Claude Botella (1) , Cesar Magén (7) , Rodrigo Guzmán (7) , S.V. Kalinin (2) , Vijaykrishnan Narayanan (3) , Sylvie Schamm-Chardon (8) , Catherine Dubourdieu (9)

1 INL - H&N - INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures
2 CNMS - Center for Nanophase Materials Sciences [Oak Ridge]
3 IBM T.J. Watson Research Center
4 IBM Watson Research Center, Yorktown Heights, New York
5 CEMES - Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales
6 CEMES-I3EM - Interférométrie, In situ et Instrumentation pour la Microscopie Electronique
7 University of Zaragoza - Universidad de Zaragoza [Zaragoza]
8 CEMES-MEM - Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme
9 HZB - Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH = Helmholtz Centre Berlin for Materials and Energy = Centre Helmholtz de Berlin pour les matériaux et l'énergie

Domaines: Physique [physics]; Micro et nanotechnologies/Microélectronique; Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Lucie Mazet, S.M. Yang, M.M. Frank, E.A. Cartier, H. Miyazoe, et al.. Epitaxial BaTiO3 on Silicon and Silicon Germanium: Nanoscale Characterization, Ferroelectricity and Integration into TiN-Gated Devices. MRS Spring 2016, Mar 2016, Phœnix, États-Unis. ⟨hal-02083658⟩