Etude et réalisation de diodes laser Ga-Al-As à double hétérojonction émettant dans le spectre visible

Alain Bensoussan (1)

1 LAAS - Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes

EVALUATION DES CONDITIONS DE FAISABILITE DE DIODES LASER A SEMICONDUCTEUR GaAlAs EMETTANT DANS LE SPECTRE VISIBLE. ESTIMATION DE LA LONGUEUR D'ONDE D'EMISSION MINIMALE REALISABLE AVEC DE TELS DISPOSITIFS

Indisponible

Mots clés: LASER SEMICONDUCTEUR; ALUMINIUM GALLIUM ARSENIURE MIXTE; RAYONNEMENT VISIBLE; HETEROJONCTION DOUBLE

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Alain Bensoussan. Etude et réalisation de diodes laser Ga-Al-As à double hétérojonction émettant dans le spectre visible. Micro et nanotechnologies/Microélectronique. INSA de Toulouse, 1983. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-00181398⟩